GaCl₃ 在 ALD 超薄界面膜领域具备不可替代的地位。其高纯度、稳定性与优异的化学反应特性使其能够实现原子级精度的 Ga₂O₃、GaN、GaS 等薄膜沉积，是未来高性能功率器件、射频器件、固态电池和先进逻辑器件的关键材料。
5N（99.999%）高纯氯化镓（GaCl₃）作为外延生长和薄膜调控的重要前驱体，对射频器件的性能具有直接影响。
在镓源材料中，高纯氯化镓（GaCl₃）因其优异的挥发性、可控反应性、极低杂质含量和与外延工艺高适配性，成为：外延生长,CVD/ALD 膜制备,电子级化工,晶体生长辅料中的核心前驱体之一。
在固态电池材料体系中，5N 高纯氯化铟（InCl₃）作为铟系材料最重要的前驱体之一，在正负极材料、固态电解质以及界面工程等多个核心环节展现出不可替代的作用。